第七百零五章 我们要有观众

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    第七百零五章 我们要有观众 (第1/3页)

    晚上,陈学兵和梁孟松、助理团队在酒店房间开了个小会。

    会议还是後藤美树提议发起的。

    「英飞淩分拆时留了一手。」後藤美树翻着一沓崭新的资料说道:「协议里面,英飞淩保留了对奇梦达智慧财产权的使用权,如果这个权属关系厘不清,他们破产的时候就交不出清洁所有权,很难对智慧财产权进行拍卖。而且他们的专利还叠加了一堆交叉许可,如果破产,三星、IBM、海力士、英特尔、美光、英飞淩都有权主张自己的许可权仍然有效。」

    众人都听得皱眉。

    「如果买方接受,破产管理人也强行要卖呢?」陈学兵问道。

    在德国,法院启动破产程序後,由法院指定的独立第三方专业人士,全面接管破产企业的全部资产、运营和处分权,代表全体债权人的利益开展清算、资产处置、诉讼维权、财产分配等工作。

    英飞淩虽然是持股超70%的母公司,但风险层面已经分割了,所以奇梦达申请破产以後,依然要法院指定的独立第三方说了算。

    他的想法是对方只要肯卖,後面打官司扯皮的事可以交给他来。

    梁孟松却立即否决。

    「没必要,我们只要在他们破产的时候拿到46nm节点的全套埋字线技术授权就好,结合西安那个研发中心,可以先吃透他们的DRAM晶片设计方向,边研究边建厂,完整的技术包可以等他们拿出来拍卖...我想,只要在破产时先把独家授权签下来,等到所有权拿出来拍卖,应该也不会有太大

    的竞争。」

    陈学兵听得一脑门子疑惑:「你不是说这是未来方向吗?没有人抢?」

    梁孟松沉吟了一下,还是细细解释道:「目前全球DRAM产业的绝对主流是三星、美光主导的平面堆叠式字线架构,这条路径,相当於把所有电路铺在晶片表面,存储电容再一层层叠在开关上方。

    「BWL是把电路埋到矽片基底里面去,表面只留储物柜和开关,电线用绝缘层裹住埋在地下,目前属於非主流的沟槽技术变种,量产工艺复杂度高,商业落地风险大。

    「但从理论上来讲,字线间距逐步缩小後,相邻单元的漏电干扰急剧上升,存储单元面积无法继续缩小,同时功耗大幅增加。

    「纯堆叠未来会有瓶颈,应该逐步引入埋入式字线的设计思路,这一点大家都明白,但头部大厂都是自研逐步演进到BWL架构,有自己完整的专利布局,不需要收购这套奇梦达目前较为成熟的46nm基础专利包。

    「说白了,这个节点也用不上埋字线,只要做堆叠就好,只能做研究使用,投入生产的话,不经济。」

    陈学兵这下彻底明白了。

    46nm节点,人家还不需要埋字线,以後30或者20nm节点的埋字线,人家也可以自己慢慢研发。

    而奇梦达没大规模量产过堆叠式,做的主要是深沟槽。沟槽式在70nm就落後於堆叠式了,所以奇梦达要翻身,提前研发了埋字线这样的沟槽变种技术,也等於是提前面对了未来的挑战。

    所以这套专利,对於先进厂商的意义没这麽大,而对於没有相关专利积淀的中国来说,则是唯一一套能接触得到的、成熟的技术路径。

    陈学兵念头及此,心头忽然有些发热:「那要是这套技术路线如果没有耽误,顺利研发下去,在30、20nm节点是否仍然会落後於三星,这件事可以评估吗?....我是说,如果拿到他们的完整技术文档的情况下。」

    梁孟松笑了起来。

    他知道,陈总这是在评估要花多大力气搞定奇梦达了。

    他想了想,客观地说道:「奇梦达年初就在IEDM上发表了6F2BWL单元的论文,完成了46nm节点的实验室验证,明确证明该架构可以微缩到30nm以下而不损失性能,而三星、美光还在使用传统8F2表面字线+堆叠电容的结构。奇梦达的路线更激进,在单元面积压缩、寄生电容抑制、漏电控制等底层设计上,起步就领先一代。」

    「但是...架构领先不等於量产领先,这也是晶片行业最残酷的地方,实验室技术到大规模量产之间还有设备、工艺、资金、供应链的重重壁垒,这恰恰是人家的强项。

    「我判断.,应该会有性能分化吧,各有千秋,奇梦达的技术路线至少不会被全面压制。」

    梁孟松没有看到技术包,仍给出了这样的判断。

    随即,他又给了陈学兵一个希望:「

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