第七百零四章 高手
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第七百零四章 高手 (第2/3页)着近五百项专利的人，介绍自己的时候明显有更多可说的。
可老头听到FinFET，更加不敢怠慢。
FinFET，目前已经是全行业都知道绕不过去，却还没有任何一家能量产的下一代结构。
现在能说自己「在做FinFET」的人，都是全球屈指可数，处於金字塔尖的研发核心人物。
而且铜互连是先进位程的一道大关，FinFET是下一道大关，如果一个人能横跨这两样，说明他绝对不是某个环节的工程师，而是能主导一整条先进位程研发的将才，段位可能远在自己之上。
逻辑和存储，单元结构是两码事，可底层功夫是相通的，缺陷密度、过程控制、设备调校、良率爬坡，这些硬桥硬马的东西，是大家都要过的坎。
「埋字线的金属栅，是用什麽填的？」梁孟松接着又问。
老头明显谨慎多了，憋了半天，嘴里蹦出一个词：「钨。」
梁孟松的问题立马开始连珠炮了。
「高宽比多少？填充之後切开看过截面吗，void（空洞）率多少？」
韦伯报了几个数。
梁孟松不置可否，又问到深沟槽电容的深宽比、漏电分布、刷新时间的尾bits（性能最差的那一批颗粒）。
本来陈学兵队伍是准备了德语翻译的，由於韦伯懂英语，这一步便省了，大家看着梁孟松和韦伯俩人对着一张缺陷图，用大多人听不懂的英文术语越来越快、越来越简略地交流，齐齐明白什麽叫「隔着屏幕都能闻到产线的味道」。
大部队上午就离开了厂区，梁孟松却在洁净室待了整整一天。
中午都没出来吃饭，还是让人把三明治和水送进去的。
陈学兵为此推掉了原本安排在下午的奇梦达CF0与州经济部的见面，只说要先看看厂子。
随後他接到陪同梁孟松的德语翻译的电话，说奇梦达那边有点严阵以待的意思，中午又过去两个专家，陪梁孟松一个人参观的技术人员比上午还多了一倍。
直到下午五点，才说梁孟松要出来了，陈学兵亲自到门口去接。
一群人簇拥着梁孟松出来的时候，就梁孟松一个人在说话。
「你们46nm埋字线DRAM比逻辑更难，你们现在是深沟槽，电容要往矽里面挖，越深越细，深宽比上去之後，每一道工序的窗口都窄得像刀片，埋字线方向是聪明的，把字线埋下去、换金属栅，单元能做小、电阻能下来，可你们等於在沟槽这条老路上，同时换电晶体、换字线、换节点，三件事一起做。」
「这齐齐一跳，需要多少钱，你们自己心里很清楚。」
「听说台湾那家合资的华亚科，你们已经在谈出售权益。」
此时韦伯已经看到了门口等待的陈学兵，连忙辩解了一句：「那是为了改善现金，聚焦资源。」
「那是你们最後的产能退路。」梁孟松很不给面子地淡淡纠正他，「把它卖了，说明你们的总部已经在做最坏的打算了。」
最後一句话，奇梦达的人都有些面色尴尬。
陈学兵倒是没有在意，大笑着迎了上去，跟每个人握了手，又跟众人说了几句场面话，才把梁孟松接上车。
车子起步，陈学兵跟外面的人挥了挥手，关上窗户，心情颇好地笑道：「梁总深藏不露，我没想到你今天能让他们紧张成那样，上次我来的时候，他们的技术人员糊弄几句就过去了，验货这事，到底还得专业的人来啊。」
梁孟松笑了一声，摇了摇头。
「不是我比他们专业，那个韦伯博士，他的团队在IEDM上发了埋字线的论文，做出了全世界最小的存储单元，他有骄傲的资本，只是今天我跟他聊的不是论文，是量产。论文是在最好的那一片晶圆上做出来的，量产是要让几万片晶圆、每一片都过得去，他们想用技术论文的先进掩饰量产的难关，被我一问，自然是要哑口的。」
工程论、量产论，陈学兵听过不止一次了。
前几天蒙布里松就跟他说过一次。
不过蒙布里松那一行，理论是老化的、相对简单的，更注重工程能力。
晶片这一行，理论却是由全世界的顶尖专家联手突破，实时更新，其难度高了若干个等级，理论和工程化能力同等重要。
要像梁孟松这样理论与工程能力双双顶尖，不仅需要脑力值拉满，还需要极度专注地投入一生。
天才不可复制。
陈总今天再次见到高手拔剑，对於接下来去招募全世界的英雄更加兴奋。
「怎麽样，他们的技术，以後还会值钱吗？」他问道。
「他们开发BWL这一步还算及时，深沟槽的路线走到头了。」梁孟松淡淡说道：「越往先进节点走，沟槽深宽比越夸张，刻蚀和电容形成越来越难、越来越贵，微缩扩展性又打不过三星那一派的堆叠电容，所以奇梦达大约在70nm节点就被这条路线拖得失去了成本优势，BWL的做法，是把TiN/W金属字线埋到矽表面以下，让它同时当两样东西，低电阻的互连、和阵列电晶体的金属栅极。」
陈学兵没太听懂。
只是阵列电晶体这个词，让他想到了FinFET。
不过他此时也不想学习技术细节，只要知道技术具备未来拓展性即可。
他是不想收了一堆旧时代的垃圾
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